微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
12期
1059-1062
,共4页
张秋霞%李玉国%王建波%张敬尧%崔传文%张月甫
張鞦霞%李玉國%王建波%張敬堯%崔傳文%張月甫
장추하%리옥국%왕건파%장경요%최전문%장월보
复合纳米颗粒膜%磁控溅射%金/二氧化硅%自组装%模板
複閤納米顆粒膜%磁控濺射%金/二氧化硅%自組裝%模闆
복합납미과립막%자공천사%금/이양화규%자조장%모판
室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜.用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射方法(XRD)对不同温度退火后的Au/SiO2复合薄膜的表面形貌、微观结构进行了表征.SEM结果表明,随着退火温度升高,Au纳米颗粒先形成大的聚集后出现分布均匀的超微颗粒.XRD结果显示700℃时Au的衍射峰最强,随后峰强有所减弱,这与SEM检测结果相吻合.另外实验结果证实在1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70nm)的Au纳米点,可以用来作为生长一维纳米材料的模板.
室溫下用磁控濺射法在Si(111)襯底上生成Au/SiO2複閤納米顆粒膜.用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射方法(XRD)對不同溫度退火後的Au/SiO2複閤薄膜的錶麵形貌、微觀結構進行瞭錶徵.SEM結果錶明,隨著退火溫度升高,Au納米顆粒先形成大的聚集後齣現分佈均勻的超微顆粒.XRD結果顯示700℃時Au的衍射峰最彊,隨後峰彊有所減弱,這與SEM檢測結果相吻閤.另外實驗結果證實在1000℃退火時自組裝生成空間分佈均勻(直徑約為70nm)的Au納米點,可以用來作為生長一維納米材料的模闆.
실온하용자공천사법재Si(111)츤저상생성Au/SiO2복합납미과립막.용소묘전자현미경(SEM)화X사선연사방법(XRD)대불동온도퇴화후적Au/SiO2복합박막적표면형모、미관결구진행료표정.SEM결과표명,수착퇴화온도승고,Au납미과립선형성대적취집후출현분포균균적초미과립.XRD결과현시700℃시Au적연사봉최강,수후봉강유소감약,저여SEM검측결과상문합.령외실험결과증실재1000℃퇴화시자조장생성공간분포균균(직경약위70nm)적Au납미점,가이용래작위생장일유납미재료적모판.
