功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2007年
11期
1841-1844
,共4页
孙小华%胡宗智%吴敏%余本芳%赵兴中
孫小華%鬍宗智%吳敏%餘本芳%趙興中
손소화%호종지%오민%여본방%조흥중
BSKT%Mg掺杂%溶胶凝胶%介电调谐性能
BSKT%Mg摻雜%溶膠凝膠%介電調諧性能
BSKT%Mg참잡%용효응효%개전조해성능
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)薄膜.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BSKT晶粒尺寸和直流场介电调谐性能的影响,讨论了直流场介电损耗谱演变的原因.结果表明,Mg掺杂BSKT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;在室温1MHz下,BSKT薄膜有最大的调谐量73.6%;6%(摩尔分数)Mg掺杂BSKT薄膜有最低的介电损耗为0.0088;发现直流场下薄膜的介电损耗谱演变一方面可能与薄膜的晶粒尺寸有关,另一方面也可能与测试温度有关.
採用溶膠凝膠工藝,在Pt/Ti/SiO2/Si襯底製備瞭Mg摻雜(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)薄膜.X射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)分析測定瞭物相微結構和薄膜錶麵形貌,研究瞭Mg摻雜含量對BSKT晶粒呎吋和直流場介電調諧性能的影響,討論瞭直流場介電損耗譜縯變的原因.結果錶明,Mg摻雜BSKT使薄膜錶麵粗糙度、晶粒呎吋、介電常量、介電損耗和調諧量都降低;在室溫1MHz下,BSKT薄膜有最大的調諧量73.6%;6%(摩爾分數)Mg摻雜BSKT薄膜有最低的介電損耗為0.0088;髮現直流場下薄膜的介電損耗譜縯變一方麵可能與薄膜的晶粒呎吋有關,另一方麵也可能與測試溫度有關.
채용용효응효공예,재Pt/Ti/SiO2/Si츤저제비료Mg참잡(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)박막.X사선연사(XRD)화소묘전경(SEM)분석측정료물상미결구화박막표면형모,연구료Mg참잡함량대BSKT정립척촌화직류장개전조해성능적영향,토론료직류장개전손모보연변적원인.결과표명,Mg참잡BSKT사박막표면조조도、정립척촌、개전상량、개전손모화조해량도강저;재실온1MHz하,BSKT박막유최대적조해량73.6%;6%(마이분수)Mg참잡BSKT박막유최저적개전손모위0.0088;발현직류장하박막적개전손모보연변일방면가능여박막적정립척촌유관,령일방면야가능여측시온도유관.