功能材料
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공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2007年
10期
1599-1602
,共4页
祝祖送%林揆训%林璇英%邱桂明
祝祖送%林揆訓%林璇英%邱桂明
축조송%림규훈%림선영%구계명
加热Langmuir探针%电子特性%沉积速率%SiCl4/H2等离子体
加熱Langmuir探針%電子特性%沉積速率%SiCl4/H2等離子體
가열Langmuir탐침%전자특성%침적속솔%SiCl4/H2등리자체
SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一.首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系统各参数:气体压强、射频功率及氢稀释度RH的变化规律.实验结果表明:随着气体压强的升高,电子浓度不断增大而电子平均能量不断减小;增大射频功率或减小氢稀释度RH,电子浓度和电子平均能量都相应增大.此外,并对实验结果进行了定性或半定量分析.本研究工作将有助于更好地理解SiCl4/H2放电机理,改善并优化沉积优质多晶硅薄膜的工艺参数.
SiCl4/H2混閤氣體被公認為低溫沉積納米晶以及多晶硅薄膜最具潛力的氣源之一.首次利用加熱可調諧Langmuir探針對等離子體增彊化學氣相沉積繫統中的SiCl4/H2放電等離子體的電子濃度和電子平均能量進行瞭在線檢測,併分析瞭電子特性隨繫統各參數:氣體壓彊、射頻功率及氫稀釋度RH的變化規律.實驗結果錶明:隨著氣體壓彊的升高,電子濃度不斷增大而電子平均能量不斷減小;增大射頻功率或減小氫稀釋度RH,電子濃度和電子平均能量都相應增大.此外,併對實驗結果進行瞭定性或半定量分析.本研究工作將有助于更好地理解SiCl4/H2放電機理,改善併優化沉積優質多晶硅薄膜的工藝參數.
SiCl4/H2혼합기체피공인위저온침적납미정이급다정규박막최구잠력적기원지일.수차이용가열가조해Langmuir탐침대등리자체증강화학기상침적계통중적SiCl4/H2방전등리자체적전자농도화전자평균능량진행료재선검측,병분석료전자특성수계통각삼수:기체압강、사빈공솔급경희석도RH적변화규률.실험결과표명:수착기체압강적승고,전자농도불단증대이전자평균능량불단감소;증대사빈공솔혹감소경희석도RH,전자농도화전자평균능량도상응증대.차외,병대실험결과진행료정성혹반정량분석.본연구공작장유조우경호지리해SiCl4/H2방전궤리,개선병우화침적우질다정규박막적공예삼수.
