功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
4期
367-370
,共4页
孙佳胤%陈静%王曦%王建峰%刘卫%朱建军%杨辉
孫佳胤%陳靜%王晞%王建峰%劉衛%硃建軍%楊輝
손가윤%진정%왕희%왕건봉%류위%주건군%양휘
绝缘体上的硅%氮化镓%金属有机物化学气相外延%降低应力
絕緣體上的硅%氮化鎵%金屬有機物化學氣相外延%降低應力
절연체상적규%담화가%금속유궤물화학기상외연%강저응력
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.
本文研究瞭SOI襯底上採用MOCVD方法生長GaN材料的應力釋放機製.採用SIMOX工藝製備的具有薄膜頂層硅的SOI材料作為外延生長的襯底材料,採用MOSS在位檢測繫統以及拉曼測試作為GaN內部應力的錶徵手段.結果錶明,SOI材料對硅基GaN異質外延中的晶格失配應力和熱應力的釋放都有顯著作用.薄膜SOI材料通過頂層硅與外延層的界麵滑移,將一部分晶格失配應力通過界麵的滑移釋放,併且通過柔性薄膜頂層硅自身的應力吸收作用,將一部分熱失配應力轉移到襯底,從而有效地降低瞭GaN外延層的張應力.
본문연구료SOI츤저상채용MOCVD방법생장GaN재료적응력석방궤제.채용SIMOX공예제비적구유박막정층규적SOI재료작위외연생장적츤저재료,채용MOSS재위검측계통이급랍만측시작위GaN내부응력적표정수단.결과표명,SOI재료대규기GaN이질외연중적정격실배응력화열응력적석방도유현저작용.박막SOI재료통과정층규여외연층적계면활이,장일부분정격실배응력통과계면적활이석방,병차통과유성박막정층규자신적응력흡수작용,장일부분열실배응력전이도츤저,종이유효지강저료GaN외연층적장응력.
