半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
211-213
,共3页
林洪峰%谢二庆%张军%颜小琴%陈支勇
林洪峰%謝二慶%張軍%顏小琴%陳支勇
림홍봉%사이경%장군%안소금%진지용
反应溅射%CN薄膜%场发射
反應濺射%CN薄膜%場髮射
반응천사%CN박막%장발사
利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.
利用反應射頻濺射方法在硅單晶襯底上沉積碳氮(CN)薄膜.原子力顯微鏡(AFM)研究結果錶明,CN薄膜錶麵覆蓋有納米CN錐狀物,所製備的CN薄膜具有良好的場髮射特性,最大髮射電流密度達到～10mA/cm2,併且未齣現電流飽和現象.薄膜錶麵的CN納米錐有利于薄膜的場髮射,重複測量結果錶明,CN薄膜的髮射特性得到改善和提高.
이용반응사빈천사방법재규단정츤저상침적탄담(CN)박막.원자력현미경(AFM)연구결과표명,CN박막표면복개유납미CN추상물,소제비적CN박막구유량호적장발사특성,최대발사전류밀도체도～10mA/cm2,병차미출현전류포화현상.박막표면적CN납미추유리우박막적장발사,중복측량결과표명,CN박막적발사특성득도개선화제고.
