半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
7期
1213-1216
,共4页
张道礼%张建兵%吴启明%袁林%陈胜
張道禮%張建兵%吳啟明%袁林%陳勝
장도례%장건병%오계명%원림%진성
InP胶体量子点%纳米晶%量子限制效应
InP膠體量子點%納米晶%量子限製效應
InP효체양자점%납미정%양자한제효응
以三辛基氧化膦(TOPO)作为溶剂,利用无水InCl3和P(Si(CH3)3)3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为量子点的包覆剂和稳定剂,在反应后期加入十二胺作为表面活性剂.利用粉末X射线衍射仪及透射电子显微镜测量了量子点的结晶性、晶格结构、晶粒尺寸、表面形貌以及晶粒尺寸分布,利用光致发光(PL)光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质.测试结果显示,量子点具有较好的结晶性及一定的尺寸分布,平均直径为2.5nm,标准偏差为7.4%,表现出明显的量子限制效应.
以三辛基氧化膦(TOPO)作為溶劑,利用無水InCl3和P(Si(CH3)3)3之間的脫滷硅烷基反應閤成瞭InP膠體量子點.其中,TOPO既作為反應溶劑又作為量子點的包覆劑和穩定劑,在反應後期加入十二胺作為錶麵活性劑.利用粉末X射線衍射儀及透射電子顯微鏡測量瞭量子點的結晶性、晶格結構、晶粒呎吋、錶麵形貌以及晶粒呎吋分佈,利用光緻髮光(PL)光譜儀和紫外可見分光光度計分析瞭其光學性質.測試結果顯示,量子點具有較好的結晶性及一定的呎吋分佈,平均直徑為2.5nm,標準偏差為7.4%,錶現齣明顯的量子限製效應.
이삼신기양화련(TOPO)작위용제,이용무수InCl3화P(Si(CH3)3)3지간적탈서규완기반응합성료InP효체양자점.기중,TOPO기작위반응용제우작위양자점적포복제화은정제,재반응후기가입십이알작위표면활성제.이용분말X사선연사의급투사전자현미경측량료양자점적결정성、정격결구、정립척촌、표면형모이급정립척촌분포,이용광치발광(PL)광보의화자외가견분광광도계분석료기광학성질.측시결과현시,양자점구유교호적결정성급일정적척촌분포,평균직경위2.5nm,표준편차위7.4%,표현출명현적양자한제효응.
