液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2006年
1期
6-10
,共5页
朱军山%赵丽伟%孙世龙%滕晓云%刘彩池%徐岳生
硃軍山%趙麗偉%孫世龍%滕曉雲%劉綵池%徐嶽生
주군산%조려위%손세룡%등효운%류채지%서악생
GaN%Si(111)%缓冲层%表面形貌
GaN%Si(111)%緩遲層%錶麵形貌
GaN%Si(111)%완충층%표면형모
用不同温度的AlN缓冲层在Si(111)衬底上外延GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响, 分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响. 结果表明:缓冲层生长温度通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.较低温度下的AlN缓冲层,在衬底表面形成的成核颗粒因温度太低,无法运动到相邻的颗粒而结合成大的成核颗粒,因此成核密度高,成核尺寸小;高温生长的AlN缓冲层,成核颗粒有足够的能量运动到相邻的成核颗粒,因此使成核颗粒的尺寸增大,成核密度低.这种初始成核密度和尺寸的不同,造成外延层形貌的差异,如表面形貌中凹坑的密度和大小就是受初始成核的直接影响. 通过实验和分析,提出了外延生长的物理模型.
用不同溫度的AlN緩遲層在Si(111)襯底上外延GaN薄膜.通過對薄膜錶麵掃描電子顯微鏡(SEM)和高分辨率雙晶X射線衍射(DCXRD)的分析,研究瞭緩遲層生長溫度對外延層錶麵形貌的影響, 分析解釋瞭錶麵形貌中凹坑的形成及緩遲層生長溫度對凹坑的影響. 結果錶明:緩遲層生長溫度通過影響緩遲層初始成覈密度和成覈呎吋來影響外延層錶麵形貌.較低溫度下的AlN緩遲層,在襯底錶麵形成的成覈顆粒因溫度太低,無法運動到相鄰的顆粒而結閤成大的成覈顆粒,因此成覈密度高,成覈呎吋小;高溫生長的AlN緩遲層,成覈顆粒有足夠的能量運動到相鄰的成覈顆粒,因此使成覈顆粒的呎吋增大,成覈密度低.這種初始成覈密度和呎吋的不同,造成外延層形貌的差異,如錶麵形貌中凹坑的密度和大小就是受初始成覈的直接影響. 通過實驗和分析,提齣瞭外延生長的物理模型.
용불동온도적AlN완충층재Si(111)츤저상외연GaN박막.통과대박막표면소묘전자현미경(SEM)화고분변솔쌍정X사선연사(DCXRD)적분석,연구료완충층생장온도대외연층표면형모적영향, 분석해석료표면형모중요갱적형성급완충층생장온도대요갱적영향. 결과표명:완충층생장온도통과영향완충층초시성핵밀도화성핵척촌래영향외연층표면형모.교저온도하적AlN완충층,재츤저표면형성적성핵과립인온도태저,무법운동도상린적과립이결합성대적성핵과립,인차성핵밀도고,성핵척촌소;고온생장적AlN완충층,성핵과립유족구적능량운동도상린적성핵과립,인차사성핵과립적척촌증대,성핵밀도저.저충초시성핵밀도화척촌적불동,조성외연층형모적차이,여표면형모중요갱적밀도화대소취시수초시성핵적직접영향. 통과실험화분석,제출료외연생장적물리모형.
