AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长
AlGaN/GaN분포포랍격반사경적MOCVD생장
MOCVD Growth of AlGaN/GaN Distributed Bragg Reflectors
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2005年 11期 891-893 ,共3页

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    AlGaN%GaN%분포포랍격반사경%MOCVD
    文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了AlxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌.
    문중이용MOCVD방법,채용고질량GaN작위완충층,재(0001)취향적람보석츤저상실현료불동조분적AlxGa1-xN/GaN분포포랍격반사경(DBR)적제비.통과XRD、SEM、AFM、반사보등측량분석수단,연구료AlxGa1-xN/GaN DBR적결구질량、후도화표면형모.
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