电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2005年
9期
1626-1628
,共3页
高飞%张晓平%曹必松%高葆新
高飛%張曉平%曹必鬆%高葆新
고비%장효평%조필송%고보신
低温放大电路%电路设计%噪声特性
低溫放大電路%電路設計%譟聲特性
저온방대전로%전로설계%조성특성
为用HEMT晶体管设计L波段低驻波比放大电路,本文用输入无源复反射系数在输出反射平面上的共轭匹配区表达式,将驻波比约束转化为无源匹配区域的映射.同时为了计算放大电路低温下噪声,通过有损输入模型导出了噪声的温度关系式.实测CDMA-830MHz高温超导前端放大器噪声温度小于30K,输入驻波比小于1.3,输出驻波比小于1.8,增益大于17dB.
為用HEMT晶體管設計L波段低駐波比放大電路,本文用輸入無源複反射繫數在輸齣反射平麵上的共軛匹配區錶達式,將駐波比約束轉化為無源匹配區域的映射.同時為瞭計算放大電路低溫下譟聲,通過有損輸入模型導齣瞭譟聲的溫度關繫式.實測CDMA-830MHz高溫超導前耑放大器譟聲溫度小于30K,輸入駐波比小于1.3,輸齣駐波比小于1.8,增益大于17dB.
위용HEMT정체관설계L파단저주파비방대전로,본문용수입무원복반사계수재수출반사평면상적공액필배구표체식,장주파비약속전화위무원필배구역적영사.동시위료계산방대전로저온하조성,통과유손수입모형도출료조성적온도관계식.실측CDMA-830MHz고온초도전단방대기조성온도소우30K,수입주파비소우1.3,수출주파비소우1.8,증익대우17dB.
