SOI材料微结构的TEM分析
SOI재료미결구적TEM분석
TEM analysis for microstructure of SOI material
  • 万方数据
    电子显微学报 전자현미학보
    JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
    2005年 5期 453-459 ,共7页

    沈仲汉%周永宁%张昕%吴晓京%张苗%叶斐%陈猛%王曦%林成鲁

    침중한%주영저%장흔%오효경%장묘%협비%진맹%왕희%림성로

    SOI晶圆%TEM分析%微结构%硅岛%结构缺陷 SOI晶圓%TEM分析%微結構%硅島%結構缺陷
    SOI정원%TEM분석%미결구%규도%결구결함
    SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料.SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构.利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构,对其顶层硅及埋层的厚度、厚度的均匀性进行了定量分析,对高剂量SIMOX样品中存在的硅岛密度进行了估算,并对顶层硅中的结构缺陷进行了观察分析.
    SOI정원재료정재성위제비IC심편적주요원재료.SOI재료적질량흔대정도상취결우정층규급매층적결구.이용TEM,계통지연구료3충실험조건하적SOI재료적미결구,대기정층규급매층적후도、후도적균균성진행료정량분석,대고제량SIMOX양품중존재적규도밀도진행료고산,병대정층규중적결구결함진행료관찰분석.
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