物理学报
物理學報
물이학보
2003年
4期
830-833
,共4页
汤晓燕%张义门%张玉明%郜锦侠
湯曉燕%張義門%張玉明%郜錦俠
탕효연%장의문%장옥명%고금협
碳化硅%界面态%反型层迁移率%场效应迁移率
碳化硅%界麵態%反型層遷移率%場效應遷移率
탄화규%계면태%반형층천이솔%장효응천이솔
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布,分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低.并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子迁移率的比值与界面态密度之间关系.
針對界麵態密度在禁帶中的不均勻分佈,分析瞭界麵態電荷對n溝6H碳化硅MOSFET場效應遷移率的影響.分析結果顯示,界麵態電荷使n溝碳化硅器件的場效應遷移率明顯降低.併給齣瞭實驗測定的場效應遷移率和反型層載流子遷移率的比值與界麵態密度之間關繫.
침대계면태밀도재금대중적불균균분포,분석료계면태전하대n구6H탄화규MOSFET장효응천이솔적영향.분석결과현시,계면태전하사n구탄화규기건적장효응천이솔명현강저.병급출료실험측정적장효응천이솔화반형층재류자천이솔적비치여계면태밀도지간관계.
