半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
6期
614-619
,共6页
梁京%黄榕旭%郑国祥%林健%庞海舟%宗祥福
樑京%黃榕旭%鄭國祥%林健%龐海舟%宗祥福
량경%황용욱%정국상%림건%방해주%종상복
阶梯覆盖%平坦化%阻挡层%浸润层%平行化器%扫描电镜
階梯覆蓋%平坦化%阻擋層%浸潤層%平行化器%掃描電鏡
계제복개%평탄화%조당층%침윤층%평행화기%소묘전경
在亚微米IC器件的铝金属化工艺中,采用了阻挡层和硅化物后,发现随着铝淀积温度的升高,铝的阶梯覆盖率有所提高.为克服高温淀积带来的问题,采用了两步的冷/热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射.通过研究和一系列的比较实验,发现影响铝填充性能的主要因素为:热铝淀积温度、热铝淀积功率、Ti浸润层厚度及冷热铝厚度比.由此得到了适合于实际亚微米IC器件生产的金属化工艺优化条件.
在亞微米IC器件的鋁金屬化工藝中,採用瞭阻擋層和硅化物後,髮現隨著鋁澱積溫度的升高,鋁的階梯覆蓋率有所提高.為剋服高溫澱積帶來的問題,採用瞭兩步的冷/熱鋁濺射和浸潤層等工藝代替原來的鋁濺射.通過研究和一繫列的比較實驗,髮現影響鋁填充性能的主要因素為:熱鋁澱積溫度、熱鋁澱積功率、Ti浸潤層厚度及冷熱鋁厚度比.由此得到瞭適閤于實際亞微米IC器件生產的金屬化工藝優化條件.
재아미미IC기건적려금속화공예중,채용료조당층화규화물후,발현수착려정적온도적승고,려적계제복개솔유소제고.위극복고온정적대래적문제,채용료량보적랭/열려천사화침윤층등공예대체원래적려천사.통과연구화일계렬적비교실험,발현영향려전충성능적주요인소위:열려정적온도、열려정적공솔、Ti침윤층후도급랭열려후도비.유차득도료괄합우실제아미미IC기건생산적금속화공예우화조건.
