光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
1999年
5期
415-424
,共10页
张淑芝%连洁%魏爱俭%黄伯标%崔德良%秦晓燕%王海涛
張淑芝%連潔%魏愛儉%黃伯標%崔德良%秦曉燕%王海濤
장숙지%련길%위애검%황백표%최덕량%진효연%왕해도
椭偏光谱%有效介质近似%线性内插%能谱法
橢偏光譜%有效介質近似%線性內插%能譜法
타편광보%유효개질근사%선성내삽%능보법
本文利用椭圆偏振光谱法测量了用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的AlGaInP及AlGaInP掺Si两个样品,在可见光区室温下的光学常数,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系.用有效介质近似理论(EMA)和线性内插法计算了样品中Al的组分,并与X射线微区分析法(能谱法)的测量结果加以比较,三者结果相符.
本文利用橢圓偏振光譜法測量瞭用MOCVD方法在GaAs襯底上生長的AlGaInP及AlGaInP摻Si兩箇樣品,在可見光區室溫下的光學常數,求得吸收繫數、介電函數隨光子能量的變化關繫.用有效介質近似理論(EMA)和線性內插法計算瞭樣品中Al的組分,併與X射線微區分析法(能譜法)的測量結果加以比較,三者結果相符.
본문이용타원편진광보법측량료용MOCVD방법재GaAs츤저상생장적AlGaInP급AlGaInP참Si량개양품,재가견광구실온하적광학상수,구득흡수계수、개전함수수광자능량적변화관계.용유효개질근사이론(EMA)화선성내삽법계산료양품중Al적조분,병여X사선미구분석법(능보법)적측량결과가이비교,삼자결과상부.
