MOCVD两步生长法制备GaN量子点
MOCVD량보생장법제비GaN양자점
The Fabrication of GaN Quantum Dots Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition
  • 万方数据
    高技术通讯 고기술통신
    HIGH TECHNOLOGY LETTERS
    1998年 6期 5-8 ,共4页

    陈鹏%沈波%王牧%周玉刚%陈志忠%臧岚%刘小勇%黄振春%郑有%闵乃本%杭寅

    진붕%침파%왕목%주옥강%진지충%장람%류소용%황진춘%정유%민내본%항인

    GaN量子点%金属有机化学气相沉积%中间亚稳态相 GaN量子點%金屬有機化學氣相沉積%中間亞穩態相
    GaN양자점%금속유궤화학기상침적%중간아은태상
    报道了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上成功地制备出GaN量子点.采用了500℃低温沉积和1050℃高温退火的两步制备法制备出密度为5×108cm-2～6×109cm-2、直径约40nm的GaN量子点.GaN量子点的密度和大小由原子力显微镜(AFM)观察测得,并由制备温度和时间所控制.观察到GaN量子点仅在高温退火后生成,这可解释为由于低温沉积,最初的沉积层中的应变能得不到释放而成为具有较高能量的中间亚稳态相,高温退火使得应变能得到释放,生成GaN量子点.
    보도료용금속유궤화학기상침적(MOCVD)방법재람보석츤저상성공지제비출GaN양자점.채용료500℃저온침적화1050℃고온퇴화적량보제비법제비출밀도위5×108cm-2～6×109cm-2、직경약40nm적GaN양자점.GaN양자점적밀도화대소유원자력현미경(AFM)관찰측득,병유제비온도화시간소공제.관찰도GaN양자점부재고온퇴화후생성,저가해석위유우저온침적,최초적침적층중적응변능득불도석방이성위구유교고능량적중간아은태상,고온퇴화사득응변능득도석방,생성GaN양자점.
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