氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜的影响
양압대PLD법규상생장c축취향LiNbO3정체박막적영향
Influence of Oxygen Pressure on Growth of c-Oriented LiNbO3 Films on Silicon by Pulsed Laser Deposition
  • 万方数据
    真空科学与技术学报 진공과학여기술학보
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2003年 2期 129-131,135 ,共4页

    王新昌%叶志镇%何军辉%黄靖云%顾星%卢焕明%赵炳辉

    왕신창%협지진%하군휘%황정운%고성%로환명%조병휘

    铌酸锂薄膜%脉冲激光沉积%氧压 鈮痠鋰薄膜%脈遲激光沉積%氧壓
    니산리박막%맥충격광침적%양압
    本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响.结果表明,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数.X射线衍射和透射电子显微镜分析表明,氧压为30 Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜,LN(006)衍射峰的半高宽为0.21°.这是首次报道不施加缓冲层和诱导电场采用PLD技术在硅衬底上生长出了结晶质量良好的完全c轴取向的LN薄膜.
    본문채용맥충격광침적(PLD)법재Si츤저상생장c축취향LiNbO3(LN)정체박막,연구양기압강대박막질량적영향.결과표명,양압시생장c축택우취향LN박막적일개중요영향삼수.X사선연사화투사전자현미경분석표명,양압위30 Pa시생장득도료완전c축취향적LN박막,LN(006)연사봉적반고관위0.21°.저시수차보도불시가완충층화유도전장채용PLD기술재규츤저상생장출료결정질량량호적완전c축취향적LN박막.
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