无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2003年
2期
275-282
,共8页
常永勤%安卫军%郭喜平%介万奇
常永勤%安衛軍%郭喜平%介萬奇
상영근%안위군%곽희평%개만기
MnxCd1-xIn2Te4%成分偏析%红外透射光谱%磁化率
MnxCd1-xIn2Te4%成分偏析%紅外透射光譜%磁化率
MnxCd1-xIn2Te4%성분편석%홍외투사광보%자화솔
采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mno.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里一外斯定律,在低温区(＜50K)则表现出顺磁增强现象.
採用Bridgman法生長瞭x為0.1,0.22和0.4的四元稀磁半導體化閤物MnxCd1-xIn2Te4晶體.研究瞭三根晶體中相的形貌、結構、成分和Mno.1Cd0.9In2Te4晶體中各組元沿軸嚮和徑嚮的成分分佈.晶體生長初始耑的組織為α+β+β1,隨著生長的進行,形成β相的單相區.在晶錠末耑,形成In2Te3類麵心立方結構化閤物.組分x增大後,MnxCd1-xIn2Te4晶體的吸收邊嚮短波方嚮移動,禁帶寬度則線性增大.磁化率測量結果錶明:晶體在高溫區的x-1-T麯線服從居裏一外斯定律,在低溫區(＜50K)則錶現齣順磁增彊現象.
채용Bridgman법생장료x위0.1,0.22화0.4적사원희자반도체화합물MnxCd1-xIn2Te4정체.연구료삼근정체중상적형모、결구、성분화Mno.1Cd0.9In2Te4정체중각조원연축향화경향적성분분포.정체생장초시단적조직위α+β+β1,수착생장적진행,형성β상적단상구.재정정말단,형성In2Te3류면심립방결구화합물.조분x증대후,MnxCd1-xIn2Te4정체적흡수변향단파방향이동,금대관도칙선성증대.자화솔측량결과표명:정체재고온구적x-1-T곡선복종거리일외사정률,재저온구(＜50K)칙표현출순자증강현상.
