一种新颖的DC～50 GHz低插入相移MMIC可变衰减器
일충신영적DC～50 GHz저삽입상이MMIC가변쇠감기
A Novel MMIC Variable Attenuator with Low Inserted Phase Shift over DC～50 GHz
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2003年 2期 186-188 ,共3页

    戴永胜%陈堂胜%俞土法%刘琳%杨立杰%陈继义%陈效建%林金庭

    대영성%진당성%유토법%류림%양립걸%진계의%진효건%림금정

    砷化镓微波单片集成电路%超宽带%低相移%多功能%可变衰减器 砷化鎵微波單片集成電路%超寬帶%低相移%多功能%可變衰減器
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    介绍了一种新颖的DC～50 GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC～50 GHz频带内,最小衰减≤3. 8 dB,最大衰减≥35±5 dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波≤2.2,衰减相移比≤1.2°/dB.芯片尺寸2.33 mm×0.68 mm×0. 1 mm.芯片成品率高达80%以上,工作环境温度达125°C,可靠性高,稳定性好.
    개소료일충신영적DC～50 GHz저상이、다공능적GaAs MMIC가변쇠감기적설계여제작,획득료우이적전성능.미파탐침재편측시결과위:재DC～50 GHz빈대내,최소쇠감≤3. 8 dB,최대쇠감≥35±5 dB,최소쇠감시수입/수출주파≤1.5,최대쇠감시수입/수출주파≤2.2,쇠감상이비≤1.2°/dB.심편척촌2.33 mm×0.68 mm×0. 1 mm.심편성품솔고체80%이상,공작배경온도체125°C,가고성고,은정성호.
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