物理学报
物理學報
물이학보
2002年
12期
2892-2895
,共4页
王引书%孙萍%丁硕%罗旭辉%李娜%王若桢
王引書%孫萍%丁碩%囉旭輝%李娜%王若楨
왕인서%손평%정석%라욱휘%리나%왕약정
纳米晶体,%生长机理,%深能级缺陷
納米晶體,%生長機理,%深能級缺陷
납미정체,%생장궤리,%심능급결함
对掺有镉、硒、硫的玻璃在500-800℃退火2-24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1-x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段, 600-625℃处于正常扩散生长阶段, 700-800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利于减少深能级缺陷的密度.
對摻有鎘、硒、硫的玻璃在500-800℃退火2-24h,生長瞭不同呎吋的CdSxSe1-x納米晶體.用分光光度計和光緻髮光光譜(PL)分析瞭納米晶體的性能.退火溫度低于550℃,納米晶體處于成覈階段, 600-625℃處于正常擴散生長階段, 700-800℃處于競爭生長階段;而650℃處于兩種生長階段之間.雖然650℃下生長的納米晶體的呎吋分佈比較窄,但納米晶體的呎吋隨退火時間的延長幾乎不變,在該溫度改變退火時間很難改變納米晶體的平均呎吋.在所有樣品中齣現瞭深能級缺陷,在650℃退火時間小于4h或大于16h有利于減少深能級缺陷的密度.
대참유력、서、류적파리재500-800℃퇴화2-24h,생장료불동척촌적CdSxSe1-x납미정체.용분광광도계화광치발광광보(PL)분석료납미정체적성능.퇴화온도저우550℃,납미정체처우성핵계단, 600-625℃처우정상확산생장계단, 700-800℃처우경쟁생장계단;이650℃처우량충생장계단지간.수연650℃하생장적납미정체적척촌분포비교착,단납미정체적척촌수퇴화시간적연장궤호불변,재해온도개변퇴화시간흔난개변납미정체적평균척촌.재소유양품중출현료심능급결함,재650℃퇴화시간소우4h혹대우16h유리우감소심능급결함적밀도.
