几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究
궤충반도체기건적경X사선제량증강효응연구
Study of hard X-ray dose enhancement effects for some kinds of semiconductor devices
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2002年 10期 811-816 ,共6页

    郭红霞%韩福斌%陈雨生%周辉%贺朝会%谢亚宁%黄宇营%何伟%胡天斗

    곽홍하%한복빈%진우생%주휘%하조회%사아저%황우영%하위%호천두

    CMOS%EEPROM%X射线%剂量增强效应%同步辐射 CMOS%EEPROM%X射線%劑量增彊效應%同步輻射
    CMOS%EEPROM%X사선%제량증강효응%동보복사
    本文给出了大规模集成电路CMOS4069、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置(BSRF)和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果.通过实验在线测得CMOS4069阈值电压漂移随总剂量的变化,测得28f 256、29c256位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.
    본문급출료대규모집성전로CMOS4069、부책ROM기건재북경동보복사장치(BSRF)화고원복조적X사선제량증강효응실험결과.통과실험재선측득CMOS4069역치전압표이수총제량적변화,측득28f 256、29c256위착오수수총제량적변화,급출상동루적제량시X광복조화γ사선복조적총제량효응손상등효관계.저사결과대기건항X사선복사가고기술연구유중요개치.
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