分子催化
分子催化
분자최화
JOURNAL OF MOLECULAR CATALYSIS(CHINA)
2002年
3期
204-208
,共5页
季生福%李树本%许传芝%薛锦珍
季生福%李樹本%許傳芝%薛錦珍
계생복%리수본%허전지%설금진
担载型催化剂%表面%甲烷%脉冲反应%晶格氧
擔載型催化劑%錶麵%甲烷%脈遲反應%晶格氧
담재형최화제%표면%갑완%맥충반응%정격양
制备了单组分Na/、 W/、 Mn/SiO2催化剂, 在ITD(Ion Trap Detector)装置上进行了催化剂表面晶格氧脱附前后的甲烷恒温脉冲反应(CH4-CTPR). 研究结果表明, Na/SiO2表面晶格氧具有一定的C2烃选择性, 并能强烈抑制CO2的生成; W/SiO2表面晶格氧对C2烃的选择性较差, 但对COx具有高的选择性; Mn/SiO2表面的晶格氧对C2H4和CO具有高选择性, 而较深部位的晶格氧则对C2H6和CO2具有高的选择性.
製備瞭單組分Na/、 W/、 Mn/SiO2催化劑, 在ITD(Ion Trap Detector)裝置上進行瞭催化劑錶麵晶格氧脫附前後的甲烷恆溫脈遲反應(CH4-CTPR). 研究結果錶明, Na/SiO2錶麵晶格氧具有一定的C2烴選擇性, 併能彊烈抑製CO2的生成; W/SiO2錶麵晶格氧對C2烴的選擇性較差, 但對COx具有高的選擇性; Mn/SiO2錶麵的晶格氧對C2H4和CO具有高選擇性, 而較深部位的晶格氧則對C2H6和CO2具有高的選擇性.
제비료단조분Na/、 W/、 Mn/SiO2최화제, 재ITD(Ion Trap Detector)장치상진행료최화제표면정격양탈부전후적갑완항온맥충반응(CH4-CTPR). 연구결과표명, Na/SiO2표면정격양구유일정적C2경선택성, 병능강렬억제CO2적생성; W/SiO2표면정격양대C2경적선택성교차, 단대COx구유고적선택성; Mn/SiO2표면적정격양대C2H4화CO구유고선택성, 이교심부위적정격양칙대C2H6화CO2구유고적선택성.