固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
1期
49-52
,共4页
钮利荣%徐筱乐%蒋幼泉%杨端良
鈕利榮%徐篠樂%蔣幼泉%楊耑良
뉴리영%서소악%장유천%양단량
离子注入%包封退火%双层介质
離子註入%包封退火%雙層介質
리자주입%포봉퇴화%쌍층개질
对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良.
對移動通信用單刀雙擲開關製作工藝中的GaAs全離子註入技術進行瞭實驗比較和討論,認為76 mmGaAs圓片經光片註入Si離子後包封40 nm SiO2+60 nm SiN進行快速退火再進行B離子註入隔離和器件製作的工藝方法先進、工藝簡便、錶麵物理性能好、產品成本低、重複性和均勻性好、成品率高及器件性能優良.
대이동통신용단도쌍척개관제작공예중적GaAs전리자주입기술진행료실험비교화토론,인위76 mmGaAs원편경광편주입Si리자후포봉40 nm SiO2+60 nm SiN진행쾌속퇴화재진행B리자주입격리화기건제작적공예방법선진、공예간편、표면물이성능호、산품성본저、중복성화균균성호、성품솔고급기건성능우량.
