半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
12期
1577-1580
,共4页
穆甫臣%许铭真%谭长华%段小蓉
穆甫臣%許銘真%譚長華%段小蓉
목보신%허명진%담장화%단소용
可靠性%超薄栅MOSFET%Weibull分布
可靠性%超薄柵MOSFET%Weibull分佈
가고성%초박책MOSFET%Weibull분포
通过对不同氧化层厚度的N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究,发现栅电压漂移符合Weibull分布.Weibull分布统计分析表明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本征失效的形状因子相同,即本征失效的失效机制在高低温度下相同.非本征失效的比例随温度升高而增大.在此基础上得出平均寿命(t50)与加速电场E成指数关系,进而提出了器件的寿命预测方法.此方法可预测超薄栅N-MOSFET在FN应力下的寿命.
通過對不同氧化層厚度的N-MOSFET在各種條件下加速壽命實驗的研究,髮現柵電壓漂移符閤Weibull分佈.Weibull分佈統計分析錶明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本徵失效的形狀因子相同,即本徵失效的失效機製在高低溫度下相同.非本徵失效的比例隨溫度升高而增大.在此基礎上得齣平均壽命(t50)與加速電場E成指數關繫,進而提齣瞭器件的壽命預測方法.此方法可預測超薄柵N-MOSFET在FN應力下的壽命.
통과대불동양화층후도적N-MOSFET재각충조건하가속수명실험적연구,발현책전압표이부합Weibull분포.Weibull분포통계분석표명,5.0、7.0화9.0nm기건재27화105C하본정실효적형상인자상동,즉본정실효적실효궤제재고저온도하상동.비본정실효적비례수온도승고이증대.재차기출상득출평균수명(t50)여가속전장E성지수관계,진이제출료기건적수명예측방법.차방법가예측초박책N-MOSFET재FN응력하적수명.
