半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
12期
1525-1528
,共4页
唐宁%吴兴龙%顾沂%鲍希茂
唐寧%吳興龍%顧沂%鮑希茂
당저%오흥룡%고기%포희무
Ge覆盖多孔硅%光致发光%光谱分析
Ge覆蓋多孔硅%光緻髮光%光譜分析
Ge복개다공규%광치발광%광보분석
使用514.5nm Ar+激光检测了Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱(PL),观察到峰位2.25eV,半峰宽约0.1eV的一个新的桔绿发光峰.随着覆盖Ge薄膜的加厚,这个桔绿发光峰的峰位保持不变,但发光强度显著下降.实验和分析结果表明,该桔绿发光峰源于多孔硅和嵌于其孔中的Ge纳米晶粒两者界面中的Ge相关缺陷.
使用514.5nm Ar+激光檢測瞭Ge覆蓋多孔硅結構的光緻髮光譜(PL),觀察到峰位2.25eV,半峰寬約0.1eV的一箇新的桔綠髮光峰.隨著覆蓋Ge薄膜的加厚,這箇桔綠髮光峰的峰位保持不變,但髮光彊度顯著下降.實驗和分析結果錶明,該桔綠髮光峰源于多孔硅和嵌于其孔中的Ge納米晶粒兩者界麵中的Ge相關缺陷.
사용514.5nm Ar+격광검측료Ge복개다공규결구적광치발광보(PL),관찰도봉위2.25eV,반봉관약0.1eV적일개신적길록발광봉.수착복개Ge박막적가후,저개길록발광봉적봉위보지불변,단발광강도현저하강.실험화분석결과표명,해길록발광봉원우다공규화감우기공중적Ge납미정립량자계면중적Ge상관결함.
