超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅
초고진공전자속증발재다공규상외연단정규
Epitaxy of silicon on porous silicon by ultra vacuum electron beam evaporator
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2001年 6期 612-613,619 ,共3页

    刘卫丽%多新中%张苗%沈勤我%王连卫%林成鲁%朱剑豪

    류위려%다신중%장묘%침근아%왕련위%림성로%주검호

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    다공규%초고진공전자속증발%외연%단정규
    采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜表征材料的微结构,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射/沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能.一系列的测试结果表明对于在5mA/cm2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅.
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