半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
1期
87-92
,共6页
冯仁剑%张海波%王顺勇%Katsumi URA
馮仁劍%張海波%王順勇%Katsumi URA
풍인검%장해파%왕순용%Katsumi URA
扫描电镜%图像衬度%绝缘膜%负带电%二次电子%Monte Carlo模拟%集成电路测试
掃描電鏡%圖像襯度%絕緣膜%負帶電%二次電子%Monte Carlo模擬%集成電路測試
소묘전경%도상츤도%절연막%부대전%이차전자%Monte Carlo모의%집성전로측시
为分析IC多层版图扫描电镜(SEM)对准检测所利用的负带电成像原理,采用Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了Monte Carlo模拟,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布.在此基础上计算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹,获得了SEM像的二次电子信号电流.结果表明,在弱负带电条件下,照射点处表面电位越低,返回表面的二次电子就越多,对应的二次电子信号电流越弱.此结果与SEM实验中图像亮度随照射时间的变化规律相符.
為分析IC多層版圖掃描電鏡(SEM)對準檢測所利用的負帶電成像原理,採用Mott彈性散射截麵和脩正的Bethe非彈性踫撞公式,對點照射入射電子在絕緣膜中的散射過程進行瞭Monte Carlo模擬,得到負帶電絕緣物錶麵的跼部電位分佈.在此基礎上計算瞭二次電子從錶麵齣射後在跼部場作用下的運動軌跡,穫得瞭SEM像的二次電子信號電流.結果錶明,在弱負帶電條件下,照射點處錶麵電位越低,返迴錶麵的二次電子就越多,對應的二次電子信號電流越弱.此結果與SEM實驗中圖像亮度隨照射時間的變化規律相符.
위분석IC다층판도소묘전경(SEM)대준검측소이용적부대전성상원리,채용Mott탄성산사절면화수정적Bethe비탄성팽당공식,대점조사입사전자재절연막중적산사과정진행료Monte Carlo모의,득도부대전절연물표면적국부전위분포.재차기출상계산료이차전자종표면출사후재국부장작용하적운동궤적,획득료SEM상적이차전자신호전류.결과표명,재약부대전조건하,조사점처표면전위월저,반회표면적이차전자취월다,대응적이차전자신호전류월약.차결과여SEM실험중도상량도수조사시간적변화규률상부.
