量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2004年
6期
859-862
,共4页
陈练辉%范广涵%孟耀勇%刘桂强
陳練輝%範廣涵%孟耀勇%劉桂彊
진련휘%범엄함%맹요용%류계강
光电子学%AlGaInP/GaInP MQW%拉曼光谱%耦合电子(空穴)气-纵光学声子模
光電子學%AlGaInP/GaInP MQW%拉曼光譜%耦閤電子(空穴)氣-縱光學聲子模
광전자학%AlGaInP/GaInP MQW%랍만광보%우합전자(공혈)기-종광학성자모
利用LP-MOCVD生长了不同周期的AIGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱.由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模.根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现A1P-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量.
利用LP-MOCVD生長瞭不同週期的AIGaInP/GaInP MQW樣品,併測量瞭它們的拉曼光譜.由于樣品包括瞭摻雜的電流擴展層和歐姆接觸層以及上、下限製層,拉曼光譜中觀察到瞭與摻雜有關的耦閤電子(空穴)氣-縱光學聲子模.根據喇曼光譜的選擇定則,結閤光緻髮光譜,髮現A1P-LO/TO的相對彊度比可以評定晶體AlGaInP MQW的生長質量.
이용LP-MOCVD생장료불동주기적AIGaInP/GaInP MQW양품,병측량료타문적랍만광보.유우양품포괄료참잡적전류확전층화구모접촉층이급상、하한제층,랍만광보중관찰도료여참잡유관적우합전자(공혈)기-종광학성자모.근거나만광보적선택정칙,결합광치발광보,발현A1P-LO/TO적상대강도비가이평정정체AlGaInP MQW적생장질량.
