广州大学学报（自然科学版）
廣州大學學報（自然科學版）
엄주대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF GUANGZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2005年
2期
108-111
,共4页
邓永晴%郭康贤%于凤梅%王瑞强
鄧永晴%郭康賢%于鳳梅%王瑞彊
산영청%곽강현%우봉매%왕서강
折射率%双量子阱
摺射率%雙量子阱
절사솔%쌍양자정
refractive index change%double quantum wells
用量子力学的密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱的光致折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs双量子阱为例,进行数值计算.结果表明,折射率改变不但与入射光强有关,更与阱中的势垒宽度有关.
用量子力學的密度矩陣和迭代的方法,得到雙量子阱的光緻摺射率改變的解析錶達式,併以典型的GaAs/AlGaAs雙量子阱為例,進行數值計算.結果錶明,摺射率改變不但與入射光彊有關,更與阱中的勢壘寬度有關.
용양자역학적밀도구진화질대적방법,득도쌍양자정적광치절사솔개변적해석표체식,병이전형적GaAs/AlGaAs쌍양자정위례,진행수치계산.결과표명,절사솔개변불단여입사광강유관,경여정중적세루관도유관.
The optical field induced refractive index change in double quantum wells is calculated theoretically by density matrix and iterative method. Numerical results are illustrated for a typical GaAs/A1GaAs double quantum wells (DQWs). Results show that the electric field induced refractive index change in DQWs varies with the width of the intermediate potential barrier. And it decreases as the incident optical intensity increases.
