微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
2期
97-99,113
,共4页
电化学刻蚀%多孔硅%电流控制模型%晶格极化%形貌
電化學刻蝕%多孔硅%電流控製模型%晶格極化%形貌
전화학각식%다공규%전류공제모형%정격겁화%형모
结合多孔硅(Si)、多孔砷化镓(GaAs)以及多孔磷化铟(InP)的不同孔形貌,综合分析了元素半导体硅及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs、InP的刻蚀结构,系统地阐述了晶体结构在电化学刻蚀中的作用.化合物半导体由于存在晶格极化和各向异性,使得不同晶面的溶解速率或钝化速率不同,导致孔沿着溶解速率较大的方向生长,钝化速率较大的晶面成为孔壁,在一定程度上影响了孔的形状、大小及周期性排列等特征.用电流控制模型对不同孔的生长过程进行了较好的解释,进一步证明了晶体的结构特征对其产生的重要影响.
結閤多孔硅(Si)、多孔砷化鎵(GaAs)以及多孔燐化銦(InP)的不同孔形貌,綜閤分析瞭元素半導體硅及Ⅲ-Ⅴ族化閤物半導體GaAs、InP的刻蝕結構,繫統地闡述瞭晶體結構在電化學刻蝕中的作用.化閤物半導體由于存在晶格極化和各嚮異性,使得不同晶麵的溶解速率或鈍化速率不同,導緻孔沿著溶解速率較大的方嚮生長,鈍化速率較大的晶麵成為孔壁,在一定程度上影響瞭孔的形狀、大小及週期性排列等特徵.用電流控製模型對不同孔的生長過程進行瞭較好的解釋,進一步證明瞭晶體的結構特徵對其產生的重要影響.
결합다공규(Si)、다공신화가(GaAs)이급다공린화인(InP)적불동공형모,종합분석료원소반도체규급Ⅲ-Ⅴ족화합물반도체GaAs、InP적각식결구,계통지천술료정체결구재전화학각식중적작용.화합물반도체유우존재정격겁화화각향이성,사득불동정면적용해속솔혹둔화속솔불동,도치공연착용해속솔교대적방향생장,둔화속솔교대적정면성위공벽,재일정정도상영향료공적형상、대소급주기성배렬등특정.용전류공제모형대불동공적생장과정진행료교호적해석,진일보증명료정체적결구특정대기산생적중요영향.
