现代机械
現代機械
현대궤계
MODERN MACHINERY
2009年
3期
77-78
,共2页
黄旭%潘金福%王云%周勋%丁召
黃旭%潘金福%王雲%週勛%丁召
황욱%반금복%왕운%주훈%정소
分子束外延(MBE)%反射式高能电子衍射(RHEED)%GaAs%样品清洗
分子束外延(MBE)%反射式高能電子衍射(RHEED)%GaAs%樣品清洗
분자속외연(MBE)%반사식고능전자연사(RHEED)%GaAs%양품청세
本文根据在调试分子束外延(MBE)系统过程中,使用反射式高能电子衍射(RHEED)对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析,从而总结出在MBE外延生长实验中对采用的GaAs样品的化学清洗方法.
本文根據在調試分子束外延(MBE)繫統過程中,使用反射式高能電子衍射(RHEED)對GaAs樣品實時鑑控得到的圖片進行分析,從而總結齣在MBE外延生長實驗中對採用的GaAs樣品的化學清洗方法.
본문근거재조시분자속외연(MBE)계통과정중,사용반사식고능전자연사(RHEED)대GaAs양품실시감공득도적도편진행분석,종이총결출재MBE외연생장실험중대채용적GaAs양품적화학청세방법.
