电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
10期
11-13
,共3页
李远亮%曲远方%张庆军%王冉然
李遠亮%麯遠方%張慶軍%王冉然
리원량%곡원방%장경군%왕염연
BaSrTiO3%Sm2O3掺杂%介电性能%居里温度%微观形貌
BaSrTiO3%Sm2O3摻雜%介電性能%居裏溫度%微觀形貌
BaSrTiO3%Sm2O3참잡%개전성능%거리온도%미관형모
以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷.利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能.结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm203掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位.在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4 800;随着Sm203掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.007 0.
以碳痠鋇、碳痠鍶和二氧化鈦等為原料,Sm2O3為摻雜劑,製備瞭BaSrTiO3繫介質陶瓷.利用SEM等儀器研究瞭陶瓷試樣的微觀形貌和介電性能.結果錶明:噹Sm2O3摻雜量低于0.10%摩爾分數時,Sm3+進入晶格A位;但隨著Sm203摻雜量的增加,Sm3+越來越傾嚮于進入晶格B位.在Sm2O3摻雜量為摩爾分數0.10%時,BaSrTiO3陶瓷的相對介電常數達到最高值4 800;隨著Sm203摻雜量繼續增加,陶瓷的介電損耗逐漸降低,最低降至0.007 0.
이탄산패、탄산송화이양화태등위원료,Sm2O3위참잡제,제비료BaSrTiO3계개질도자.이용SEM등의기연구료도자시양적미관형모화개전성능.결과표명:당Sm2O3참잡량저우0.10%마이분수시,Sm3+진입정격A위;단수착Sm203참잡량적증가,Sm3+월래월경향우진입정격B위.재Sm2O3참잡량위마이분수0.10%시,BaSrTiO3도자적상대개전상수체도최고치4 800;수착Sm203참잡량계속증가,도자적개전손모축점강저,최저강지0.007 0.
