半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
9期
994-998
,共5页
石艳玲%忻佩胜%邵丽%游淑珍%朱自强%赖宗声
石豔玲%忻珮勝%邵麗%遊淑珍%硃自彊%賴宗聲
석염령%흔패성%소려%유숙진%주자강%뢰종성
共平面波导%低阻硅衬底%微机械加工技术%插入损耗
共平麵波導%低阻硅襯底%微機械加工技術%插入損耗
공평면파도%저조규츤저%미궤계가공기술%삽입손모
在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较.采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线,并通过关键的混合腐蚀技术制备了50Ω和120Ω两种特性阻抗的传输线.由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善.实验中,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了1GHz到40GHz频段的参数测试,利用多线分析技术对测试结果进行了分析.结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低,30GHz处插入损耗约为7dB/cm,较腐蚀前降低了10dB/cm.
在低阻硅襯底上採用常規CMOS工藝和後處理微機械加工技術實現瞭微波MEMS共平麵波導,併與高阻硅基平麵結構共平麵波導特性進行瞭比較.採用混閤相似剖分有限元方法設計瞭一組不同特性阻抗值的傳輸線,併通過關鍵的混閤腐蝕技術製備瞭50Ω和120Ω兩種特性阻抗的傳輸線.由于腐蝕去除瞭信號線下方導緻損耗的低阻硅襯底,使得傳輸線插入損耗、散射特性等得以改善.實驗中,使用矢量網絡分析儀分彆在微機械加工前後對傳輸線進行瞭1GHz到40GHz頻段的參數測試,利用多線分析技術對測試結果進行瞭分析.結果錶明在微結構懸浮後共平麵波導的損耗特性有瞭大幅度的降低,30GHz處插入損耗約為7dB/cm,較腐蝕前降低瞭10dB/cm.
재저조규츤저상채용상규CMOS공예화후처리미궤계가공기술실현료미파MEMS공평면파도,병여고조규기평면결구공평면파도특성진행료비교.채용혼합상사부분유한원방법설계료일조불동특성조항치적전수선,병통과관건적혼합부식기술제비료50Ω화120Ω량충특성조항적전수선.유우부식거제료신호선하방도치손모적저조규츤저,사득전수선삽입손모、산사특성등득이개선.실험중,사용시량망락분석의분별재미궤계가공전후대전수선진행료1GHz도40GHz빈단적삼수측시,이용다선분석기술대측시결과진행료분석.결과표명재미결구현부후공평면파도적손모특성유료대폭도적강저,30GHz처삽입손모약위7dB/cm,교부식전강저료10dB/cm.
