电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
6期
61-63
,共3页
电子技术%PTCR材料%低电阻率%液相掺杂%高居里点
電子技術%PTCR材料%低電阻率%液相摻雜%高居裏點
전자기술%PTCR재료%저전조솔%액상참잡%고거리점
为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究.当液相掺杂Sb3+的添加量为0.1%时(摩尔分数),获得了居里点tC为150℃、ρv为4.7 Ω·cm、升阻比lg(ρmax / ρmin)为3.3的PTC材料.通过电性能测试、SEM显微结构分析和复阻抗测试,探讨了作用机理.
為瞭穫得適閤低壓特種變壓器、手機等用過流過熱保護作用的高居裏點、低電阻率的PTCR材料,在採用傳統的電子陶瓷製造工藝的基礎上,通過液相施主摻雜及對改性劑配方優化的方法進行瞭研究.噹液相摻雜Sb3+的添加量為0.1%時(摩爾分數),穫得瞭居裏點tC為150℃、ρv為4.7 Ω·cm、升阻比lg(ρmax / ρmin)為3.3的PTC材料.通過電性能測試、SEM顯微結構分析和複阻抗測試,探討瞭作用機理.
위료획득괄합저압특충변압기、수궤등용과류과열보호작용적고거리점、저전조솔적PTCR재료,재채용전통적전자도자제조공예적기출상,통과액상시주참잡급대개성제배방우화적방법진행료연구.당액상참잡Sb3+적첨가량위0.1%시(마이분수),획득료거리점tC위150℃、ρv위4.7 Ω·cm、승조비lg(ρmax / ρmin)위3.3적PTC재료.통과전성능측시、SEM현미결구분석화복조항측시,탐토료작용궤리.
