电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
3期
64-66
,共3页
李凌%王磊%彭斌%张万里%蒋洪川
李凌%王磊%彭斌%張萬裏%蔣洪川
리릉%왕뢰%팽빈%장만리%장홍천
微波薄膜衰减器%TaN薄膜%T型衰减网络
微波薄膜衰減器%TaN薄膜%T型衰減網絡
미파박막쇠감기%TaN박막%T형쇠감망락
基于T型衰减网络结构设计并仿真了工作频率为DC～3GHz的微波薄膜衰减器,并采用磁控溅射法在BeO基片上制备了TaN微波薄膜衰减器.仿真结果表明,所设计的微波薄膜衰减器在DC～3GHz工作频率内,衰减量为12 dB,输入端口电压驻波比小于1.1.测试结果表明,所制备的微波薄膜衰减器在DC～3GHz工作频率内,衰减量为(12.0±0.5) dB.
基于T型衰減網絡結構設計併倣真瞭工作頻率為DC～3GHz的微波薄膜衰減器,併採用磁控濺射法在BeO基片上製備瞭TaN微波薄膜衰減器.倣真結果錶明,所設計的微波薄膜衰減器在DC～3GHz工作頻率內,衰減量為12 dB,輸入耑口電壓駐波比小于1.1.測試結果錶明,所製備的微波薄膜衰減器在DC～3GHz工作頻率內,衰減量為(12.0±0.5) dB.
기우T형쇠감망락결구설계병방진료공작빈솔위DC～3GHz적미파박막쇠감기,병채용자공천사법재BeO기편상제비료TaN미파박막쇠감기.방진결과표명,소설계적미파박막쇠감기재DC～3GHz공작빈솔내,쇠감량위12 dB,수입단구전압주파비소우1.1.측시결과표명,소제비적미파박막쇠감기재DC～3GHz공작빈솔내,쇠감량위(12.0±0.5) dB.
