UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学
UHV/CVD외연생장SiGe/Si표면반응동역학
Surface Reaction Mechanism of SiGe/Si Growth by UHV/CVD
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 6期 564-569 ,共6页

    于卓%李代宗%成步文%黄昌俊%雷震霖%余金中%王启明%梁骏吾

    우탁%리대종%성보문%황창준%뢰진림%여금중%왕계명%량준오

    SiGe/Si%UHV/CVD%生长%动力学 SiGe/Si%UHV/CVD%生長%動力學
    SiGe/Si%UHV/CVD%생장%동역학
    利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.
    이용SiH4화GeH4작위원기체,대UHV/CVD생장Si1-xGex/Si외연층적표면반응궤리진행료연구,통과TPD、RHEED등실험관찰료Si(100)표면SiH4적포화흡부、열탈부과정,득출SiH4적분해응해시매개SiH4분자적4개H원자전부도흡부도료Si표면,SiH4적흡부솔정비우표면공위적4차방,병분석료GeH4적표면흡부궤제.재차기출상건립료UHV/CVD생장Si1-xGex/Si적표면반응동역학모형,이용모형대실험결과진행료모의,이자부합득흔호.
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