微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
2期
164-167
,共4页
谭开洲%石红%杨国渝%胡刚毅%蒲大勇%冯健%毛儒炎
譚開洲%石紅%楊國渝%鬍剛毅%蒲大勇%馮健%毛儒炎
담개주%석홍%양국투%호강의%포대용%풍건%모유염
SOI%CMOS%LDMOS%VDMOS%智能功率集成电路
SOI%CMOS%LDMOS%VDMOS%智能功率集成電路
SOI%CMOS%LDMOS%VDMOS%지능공솔집성전로
介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9 V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80 V、电流通过能力大于3 A的LDMOS管.电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50 mm2.基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成.
介紹瞭一種單片智能功率硅集成電路的設計和製造工藝,該電路包括工作于9 V低壓的常規CMOS管和兩箇最高耐壓為80 V、電流通過能力大于3 A的LDMOS管.電路採用SOI介質隔離CMOS/LDMOS工藝,芯片麵積約50 mm2.基于一種簡單的二維模型,認為,在功率集成中,縱嚮導電的VDMOS管由于其導通電阻有一箇自限製特點,因此併不特彆適閤智能功率集成.
개소료일충단편지능공솔규집성전로적설계화제조공예,해전로포괄공작우9 V저압적상규CMOS관화량개최고내압위80 V、전류통과능력대우3 A적LDMOS관.전로채용SOI개질격리CMOS/LDMOS공예,심편면적약50 mm2.기우일충간단적이유모형,인위,재공솔집성중,종향도전적VDMOS관유우기도통전조유일개자한제특점,인차병불특별괄합지능공솔집성.
