微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
6期
794-797
,共4页
两步式A/D转换器%数字误差校正%残差放大器%比较器
兩步式A/D轉換器%數字誤差校正%殘差放大器%比較器
량보식A/D전환기%수자오차교정%잔차방대기%비교기
提出了一种基于两步转换法(5+6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积.采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6 μm BiCMOS工艺实现.经过电路模拟仿真,在40 MHz转换速率,1 V输入信号(Vp-p),5 V电源电压时,信噪比(SNR)为63.3 dB,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于10位转换器的±0.5 LSB,电源电流为85.4 mA.样品测试结果:SNR为55 dB,INL和DNL小于10位转换器的±1.75 LSB.
提齣瞭一種基于兩步轉換法(5+6)的高速高精度A/D轉換器體繫結構,其優點是可以大幅度降低芯片的功耗及麵積.採用這種結構,設計瞭一箇10位40 MHz的A/D轉換器,併用0.6 μm BiCMOS工藝實現.經過電路模擬倣真,在40 MHz轉換速率,1 V輸入信號(Vp-p),5 V電源電壓時,信譟比(SNR)為63.3 dB,積分非線性(INL)和微分非線性(DNL)均小于10位轉換器的±0.5 LSB,電源電流為85.4 mA.樣品測試結果:SNR為55 dB,INL和DNL小于10位轉換器的±1.75 LSB.
제출료일충기우량보전환법(5+6)적고속고정도A/D전환기체계결구,기우점시가이대폭도강저심편적공모급면적.채용저충결구,설계료일개10위40 MHz적A/D전환기,병용0.6 μm BiCMOS공예실현.경과전로모의방진,재40 MHz전환속솔,1 V수입신호(Vp-p),5 V전원전압시,신조비(SNR)위63.3 dB,적분비선성(INL)화미분비선성(DNL)균소우10위전환기적±0.5 LSB,전원전류위85.4 mA.양품측시결과:SNR위55 dB,INL화DNL소우10위전환기적±1.75 LSB.
