半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
10期
1785-1788
,共4页
陶凯%孙震海%孙凌%郭国超
陶凱%孫震海%孫凌%郭國超
도개%손진해%손릉%곽국초
ISSG退火%低压化学气相沉积%薄膜平坦化
ISSG退火%低壓化學氣相沉積%薄膜平坦化
ISSG퇴화%저압화학기상침적%박막평탄화
利用现场水汽生成(in-situ steam generation,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0.76nm降到了0.16nm,49点厚度值的标准偏差从0.25nm降到了0.04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4.3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实际生产具有重要意义.
利用現場水汽生成(in-situ steam generation,ISSG)退火這種新型的低壓快速氧化熱退火技術,在對沉積二氧化硅薄膜熱退火的同時進行補償氧化生長,最終實現瞭沉積二氧化硅薄膜的平坦化.實驗數據錶明,ISSG退火補償生長後整箇晶圓錶麵的薄膜厚度波動(最大值與最小值之差)從0.76nm降到瞭0.16nm,49點厚度值的標準偏差從0.25nm降到瞭0.04nm.同時,薄膜的隧穿場彊增加到4.3MV/cm,硅氧界麵與傳統的氧氣快速退火工藝相比更為良好.實驗結果為二氧化硅薄膜平坦化提供瞭新的思路,對實際生產具有重要意義.
이용현장수기생성(in-situ steam generation,ISSG)퇴화저충신형적저압쾌속양화열퇴화기술,재대침적이양화규박막열퇴화적동시진행보상양화생장,최종실현료침적이양화규박막적평탄화.실험수거표명,ISSG퇴화보상생장후정개정원표면적박막후도파동(최대치여최소치지차)종0.76nm강도료0.16nm,49점후도치적표준편차종0.25nm강도료0.04nm.동시,박막적수천장강증가도4.3MV/cm,규양계면여전통적양기쾌속퇴화공예상비경위량호.실험결과위이양화규박막평탄화제공료신적사로,대실제생산구유중요의의.
