电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
5期
1535-1538
,共4页
宋文斌%许高博%郭天雷%韩郑生
宋文斌%許高博%郭天雷%韓鄭生
송문빈%허고박%곽천뢰%한정생
部分耗SOI%鸟嘴效应%边缘电场效应%反向窄沟道效应%杂质重新分布
部分耗SOI%鳥嘴效應%邊緣電場效應%反嚮窄溝道效應%雜質重新分佈
부분모SOI%조취효응%변연전장효응%반향착구도효응%잡질중신분포
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PD SOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2 μm SOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8 μm SOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.
製備瞭不同溝寬的採用LOCOS隔離的PD SOI器件,通過實驗數據分析器件的窄溝道效應.結果顯示,1.2 μm SOI器件的窄溝道效應跟體硅相似,主要是由邊緣電場效應和"鳥嘴"效應引起的;0.8 μm SOI器件的閾值電壓隨著溝道變窄而減小,齣現反嚮窄溝道效應.我們認為,主要是由于雜質的重新分佈降低瞭溝道邊緣的雜質濃度所引起的.
제비료불동구관적채용LOCOS격리적PD SOI기건,통과실험수거분석기건적착구도효응.결과현시,1.2 μm SOI기건적착구도효응근체규상사,주요시유변연전장효응화"조취"효응인기적;0.8 μm SOI기건적역치전압수착구도변착이감소,출현반향착구도효응.아문인위,주요시유우잡질적중신분포강저료구도변연적잡질농도소인기적.
