微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
1期
17-22
,共6页
半导体工艺%双极%互补双极%CMOS%VDMOS%BiCMOS%SOI
半導體工藝%雙極%互補雙極%CMOS%VDMOS%BiCMOS%SOI
반도체공예%쌍겁%호보쌍겁%CMOS%VDMOS%BiCMOS%SOI
回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.
迴顧瞭中電科技集糰公司第二十四研究所自建所以來的半導體集成電路工藝髮展歷程.晶圓呎吋從1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特徵線寬從10 μm到0.5 μm,器件特徵頻率從低頻到射頻,工作電壓從5 V到800 V,包括射頻和高壓大功率的各種器件.從研製成功全國第一塊大規模集成電路至今,二十四所作為全國唯一的模擬集成電路專業研究所,在各箇領域均取得瞭突齣的成就,見證瞭中國半導體集成電路事業的髮展歷程.最後,展望瞭二十四所模擬及專用集成電路工藝技術的髮展前景.
회고료중전과기집단공사제이십사연구소자건소이래적반도체집성전로공예발전역정.정원척촌종1.5두(40 mm) 도6두(150 mm),특정선관종10 μm도0.5 μm,기건특정빈솔종저빈도사빈,공작전압종5 V도800 V,포괄사빈화고압대공솔적각충기건.종연제성공전국제일괴대규모집성전로지금,이십사소작위전국유일적모의집성전로전업연구소,재각개영역균취득료돌출적성취,견증료중국반도체집성전로사업적발전역정.최후,전망료이십사소모의급전용집성전로공예기술적발전전경.
