固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
327-332
,共6页
吴丽娟%胡盛东%张波%李肇基
吳麗娟%鬍盛東%張波%李肇基
오려연%호성동%장파%리조기
薄硅层%介质场增强%阶梯埋氧%耐压%调制%自热效应
薄硅層%介質場增彊%階梯埋氧%耐壓%調製%自熱效應
박규층%개질장증강%계제매양%내압%조제%자열효응
基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI(SBPSOI)高压器件结构.埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介质电场,而且对有源层中的电场进行调制,使电场优化分布,两者均提高器件的击穿电压.详细分析器件耐压与相关结构参数的关系.在埋氧层为2μm,耐压层为0.5μm时,其埋氧层电场提高到常规结构的1.5倍,击穿电压提高53.5%.同时,由于源极下硅窗口缓解SOI器件自热效应,使得在栅电压15 V,漏电压30 V时器件表面最高温度较常规SOI降低了34.76 K.
基于介質電場增彊ENDIF理論,提齣瞭一種薄硅層階梯埋氧型部分SOI(SBPSOI)高壓器件結構.埋氧層階梯處所引入的電荷不僅增彊瞭埋層介質電場,而且對有源層中的電場進行調製,使電場優化分佈,兩者均提高器件的擊穿電壓.詳細分析器件耐壓與相關結構參數的關繫.在埋氧層為2μm,耐壓層為0.5μm時,其埋氧層電場提高到常規結構的1.5倍,擊穿電壓提高53.5%.同時,由于源極下硅窗口緩解SOI器件自熱效應,使得在柵電壓15 V,漏電壓30 V時器件錶麵最高溫度較常規SOI降低瞭34.76 K.
기우개질전장증강ENDIF이론,제출료일충박규층계제매양형부분SOI(SBPSOI)고압기건결구.매양층계제처소인입적전하불부증강료매층개질전장,이차대유원층중적전장진행조제,사전장우화분포,량자균제고기건적격천전압.상세분석기건내압여상관결구삼수적관계.재매양층위2μm,내압층위0.5μm시,기매양층전장제고도상규결구적1.5배,격천전압제고53.5%.동시,유우원겁하규창구완해SOI기건자열효응,사득재책전압15 V,루전압30 V시기건표면최고온도교상규SOI강저료34.76 K.
