CAJ | 학술논문

采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5～5.5 eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S. Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1+Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λv5→Λc6(或Lv4.5→Lc6)和Λv6→Λc6(或Lv6→Lc6)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向.
채용수평활이석묵주액상외연생장기술재n형(100)InAs츤저상생장료InAs0.96Sb0.04박막.재1.5～5.5 eV광자능량범위채용자외-가견광타원편진광보의우실온하측시료기개전함수보ε(E).기우전자대간약천화연합태밀도이론,채용S. Adachi적MDF모형대ε(E)진행료의합,병계산료각충림계점전자약천대ε(E)적공헌.결과표명:실험수거여모형문합득비상호,E1화E1+Δ1약천발생재포리연구(BZ)적Λ축혹L점,분별대응우M1형림계점Λv5→Λc6(혹Lv4.5→Lc6)화Λv6→Λc6(혹Lv6→Lc6)약천;E2약천시유우M1형화M2형안점능량간병인기적,연착BZ적Σ화Δ축방향.