功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2009年
5期
429-434
,共6页
曾传滨%海潮和%李晶%李多力%韩郑生
曾傳濱%海潮和%李晶%李多力%韓鄭生
증전빈%해조화%리정%리다력%한정생
绝缘体上的硅%闩锁%金属氧化物半导体
絕緣體上的硅%閂鎖%金屬氧化物半導體
절연체상적규%산쇄%금속양화물반도체
SOI%latch%MOS
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性.提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响.
本文研究瞭部分耗儘絕緣體上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS結構的閂鎖(latch)特性.提齣瞭一種體電極觸髮誘髮PDSOI NMOS器件閂鎖效應維持電壓的測試方法,併用此方法測試齣瞭不同柵長、柵寬和體接觸結構NMOS/CMOS的閂鎖效應維持電壓,以及溝道註入條件和溫度對維持電壓的影響.
본문연구료부분모진절연체상적규(PDSOI)NMOS、CMOS결구적산쇄(latch)특성.제출료일충체전겁촉발유발PDSOI NMOS기건산쇄효응유지전압적측시방법,병용차방법측시출료불동책장、책관화체접촉결구NMOS/CMOS적산쇄효응유지전압,이급구도주입조건화온도대유지전압적영향.
The partially depleted SOI (PDSOI) NMOSFET and CMOSFETs latch characteristics are stud-ied in this paper. A holding voltage measure method by bulk electrode trigger PDSOI NMOSFET latch effect is proposed. We use this method measured out the holding voltage of NMOSFET/CMOSFET tran-sistors with different gate width, gate length, bulk contact types, and the influence of the channel im-plantation condition and temperature.
