图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究
도형화SOI츤저상측향외연생장GaN연구
Fabrication of GaN on patterned silicon-on-insulator by epitaxial lateral overgrowth
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2010年 7期 1208-1210 ,共3页

    张波%陈静%魏星%武爱民%薛忠营%罗杰馨%王曦%张苗

    장파%진정%위성%무애민%설충영%라걸형%왕희%장묘

    氮化镓%绝缘体上硅%侧向外延 氮化鎵%絕緣體上硅%側嚮外延
    담화가%절연체상규%측향외연
    采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.
    채용MOCVD계통,재도형화적절연체상규(SOI:silicon-on-insulator)츤저상측향외연생장료GaN박막.이용SEM、TEM화Raman광보대생장적GaN박막적질량진행료분석연구.연구발현,재GaN적측향외연생장구역,측향생장적GaN능구완전합병,GaN박막내적잔여응력감소,천투위착밀도대폭도강저.
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