磁性材料及器件
磁性材料及器件
자성재료급기건
JOURNAL OF MAGNETIC MATERIALS AND DEVICES
2012年
1期
20-23
,共4页
Ni81Fe19薄膜%基片温度%结构%各向异性磁电阻%磁控溅射%缓冲层厚度
Ni81Fe19薄膜%基片溫度%結構%各嚮異性磁電阻%磁控濺射%緩遲層厚度
Ni81Fe19박막%기편온도%결구%각향이성자전조%자공천사%완충층후도
利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜.着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响.利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向；用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻.结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反.基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23％,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值.
利用磁控濺射方法製備瞭一繫列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜.著重研究基片溫度、緩遲層厚度對薄膜結構和各嚮異性磁電阻的影響.利用X射線衍射儀分析瞭薄膜結構、晶粒取嚮；用四探針法測量瞭薄膜的電阻率和各嚮異性磁電阻.結果錶明,基片溫度對薄膜的各嚮異性磁電阻及飽和場有顯著影響,隨著基片溫度的升高,薄膜各嚮異性磁電阻隨之增大,飽和場則相反.基片溫度在400℃時製備的Ni81Fe19薄膜具有較大的各嚮異性磁電阻比和較低的磁化飽和場,薄膜最大各嚮異性磁電阻比為4.23％,最低磁化飽和場為739.67A/m;隨著緩遲層厚度的增加,坡莫閤金薄膜的AMR值先變大後減小,在x=5nm時達到最大值.
이용자공천사방법제비료일계렬Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)자성박막.착중연구기편온도、완충층후도대박막결구화각향이성자전조적영향.이용X사선연사의분석료박막결구、정립취향；용사탐침법측량료박막적전조솔화각향이성자전조.결과표명,기편온도대박막적각향이성자전조급포화장유현저영향,수착기편온도적승고,박막각향이성자전조수지증대,포화장칙상반.기편온도재400℃시제비적Ni81Fe19박막구유교대적각향이성자전조비화교저적자화포화장,박막최대각향이성자전조비위4.23％,최저자화포화장위739.67A/m;수착완충층후도적증가,파막합금박막적AMR치선변대후감소,재x=5nm시체도최대치.
