压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2005年
1期
59-61,64
,共4页
杨长红%王卓%韩辉%翟剑庞%王民%韩建儒
楊長紅%王卓%韓輝%翟劍龐%王民%韓建儒
양장홍%왕탁%한휘%적검방%왕민%한건유
金属有机分解法%Pb0.85Sm0.1TiO3%铁电薄膜
金屬有機分解法%Pb0.85Sm0.1TiO3%鐵電薄膜
금속유궤분해법%Pb0.85Sm0.1TiO3%철전박막
采用金属有机分解法(MOD)在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Sm0.1TiO3(PST)薄膜.用X-射线衍射技术研究了退火温度对薄膜的结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1 h的PST薄膜呈钙钛矿结构;在0～16 V范围内,薄膜的漏电流小于1.17×10-7A;在土10 V的偏压范围内,电容-电压(C-V)记忆窗口宽度为4.5 V;在室温10 kHz下,其介电常数为37.25,介电损耗为0.042.
採用金屬有機分解法(MOD)在P型Si(111)襯底上製備瞭Pb0.85Sm0.1TiO3(PST)薄膜.用X-射線衍射技術研究瞭退火溫度對薄膜的結構和結晶性的影響.同時還研究瞭薄膜的介電、鐵電和絕緣性能.結果髮現在600℃下退火1 h的PST薄膜呈鈣鈦礦結構;在0～16 V範圍內,薄膜的漏電流小于1.17×10-7A;在土10 V的偏壓範圍內,電容-電壓(C-V)記憶窗口寬度為4.5 V;在室溫10 kHz下,其介電常數為37.25,介電損耗為0.042.
채용금속유궤분해법(MOD)재P형Si(111)츤저상제비료Pb0.85Sm0.1TiO3(PST)박막.용X-사선연사기술연구료퇴화온도대박막적결구화결정성적영향.동시환연구료박막적개전、철전화절연성능.결과발현재600℃하퇴화1 h적PST박막정개태광결구;재0～16 V범위내,박막적루전류소우1.17×10-7A;재토10 V적편압범위내,전용-전압(C-V)기억창구관도위4.5 V;재실온10 kHz하,기개전상수위37.25,개전손모위0.042.
