半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
2期
217-221
,共5页
马子文%汤自荣%廖广兰%史铁林%聂磊
馬子文%湯自榮%廖廣蘭%史鐵林%聶磊
마자문%탕자영%료엄란%사철림%섭뢰
MEMS%激光键合%表面活化%键合线宽
MEMS%激光鍵閤%錶麵活化%鍵閤線寬
MEMS%격광건합%표면활화%건합선관
提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法.
提齣瞭一種新的無需外壓力作用的硅/玻璃激光跼部鍵閤方法,通過對晶圓進行錶麵活化處理,選擇閤適的激光參數及加工環境,成功地實現瞭無壓力輔助硅/玻璃激光鍵閤.同時研究瞭該鍵閤工藝參數如激光功率、激光掃描速度、底闆材料等的影響.實驗錶明,激光功率越大,掃描速度越小,鍵閤線的寬度就越大.實驗結果顯示,該方法能有效減少鍵閤片的殘餘應力,控製鍵閤線寬,併能得到較好的鍵閤彊度.該工藝可為MEMS器件的封裝與製造提供簡潔、快速、鍵閤區可選擇的新型鍵閤方法.
제출료일충신적무수외압력작용적규/파리격광국부건합방법,통과대정원진행표면활화처리,선택합괄적격광삼수급가공배경,성공지실현료무압력보조규/파리격광건합.동시연구료해건합공예삼수여격광공솔、격광소묘속도、저판재료등적영향.실험표명,격광공솔월대,소묘속도월소,건합선적관도취월대.실험결과현시,해방법능유효감소건합편적잔여응력,공제건합선관,병능득도교호적건합강도.해공예가위MEMS기건적봉장여제조제공간길、쾌속、건합구가선택적신형건합방법.