离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜
리자원보조전자창증발제비Ge1-xCx박막
Preparation of Ge1-xCx Thin Film by e-gun Evaporation Assisted with Ion Source
  • 万方数据
    光子学报 광자학보
    ACTA PHOTONICA SINICA
    2007年 4期 715-718 ,共4页

    王彤彤%高劲松%王笑夷%宋琦%郑宣明%徐颖%陈红%申振峰

    왕동동%고경송%왕소이%송기%정선명%서영%진홍%신진봉

    Ge1-xCx薄膜%电子枪蒸发%离子辅助沉积(IAD)%考夫曼离子源 Ge1-xCx薄膜%電子鎗蒸髮%離子輔助沉積(IAD)%攷伕曼離子源
    Ge1-xCx박막%전자창증발%리자보조침적(IAD)%고부만리자원
    应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.
    응용전자창증발순Ge,고부만리자원보조적방법재Ge기저상침적료Ge1-xCx박막.제비과정중,Ge작위증발재료,CH4작위반응기체.통과개변CH4/(CH4+Ar)적기체류량비(G),제비료G종40%도85%적Ge1-xCx박막.응용X사선연사의(XRD)측량료Ge1-xCx박막적정체결구,사용부리협홍외광보의(FTIR)측량료2～22 μm적광학투과솔,X사선광전자능보측시(XPS)계산득도C적함량수G적변화관계,용납미압흔경도측시계측량료Ge1-xCx박막적경도,원자력현미경(AFM)측량료G위60%,85%시Ge1-xCx박막적표면조조도.측시결과표명:제비적Ge1-xCx박막재불동적G치하균위무정형결구.절사솔수착G치적증가이감소,재3.14～3.89지간가변,병구유량호적균균성이급겁고적경도.
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