稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2008年
1期
34-37
,共4页
冯德伸%李楠%苏小平%杨海%闵振东
馮德伸%李楠%囌小平%楊海%閔振東
풍덕신%리남%소소평%양해%민진동
4英寸锗单晶%温度梯度%缩颈%工艺参数%位错密度
4英吋鍺單晶%溫度梯度%縮頸%工藝參數%位錯密度
4영촌타단정%온도제도%축경%공예삼수%위착밀도
采用直拉法生长 4 英寸<loo>低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.
採用直拉法生長 4 英吋<loo>低位錯鍺單晶,研究瞭熱場溫度梯度、縮頸工藝、拉晶工藝參數對單晶位錯密度的影響,測量瞭單晶位錯密度,結果錶明位錯密度小于3000.cm-2,滿足空間GaAs/Ge太暘電池的使用要求.
채용직랍법생장 4 영촌<loo>저위착타단정,연구료열장온도제도、축경공예、랍정공예삼수대단정위착밀도적영향,측량료단정위착밀도,결과표명위착밀도소우3000.cm-2,만족공간GaAs/Ge태양전지적사용요구.
