光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2011年
5期
35-39,45
,共6页
纳米光刻%超分辨成像%表面等离子体%超透镜
納米光刻%超分辨成像%錶麵等離子體%超透鏡
납미광각%초분변성상%표면등리자체%초투경
本文提出和研究了利用超分辨缩小成像平板超透镜,在i线光源波长下实现纳米尺度光刻方法.为了在超 分辨透镜像面位置获得高质量的光刻图形,采用超分辨透镜-光刻胶-反射银膜的结构方式,解决由于超透镜磁场偏振传输模式带来的成像光场畸变问题,大大提高了成像质量和光场对比度.采用掩模图形结构预补偿的方法,消除超分辨透镜的倍率畸变像差影响.基于有限元电磁计算方法,教值模拟结果验证了该方法在i线光源波长下实现纳米尺度缩小戍像光刻的可能性.在i线(365nm)光源波长下,得到约35 nm线宽的高对比成像光场模拟结果,并分析了结构参数变化对成像光场带来的影响.
本文提齣和研究瞭利用超分辨縮小成像平闆超透鏡,在i線光源波長下實現納米呎度光刻方法.為瞭在超 分辨透鏡像麵位置穫得高質量的光刻圖形,採用超分辨透鏡-光刻膠-反射銀膜的結構方式,解決由于超透鏡磁場偏振傳輸模式帶來的成像光場畸變問題,大大提高瞭成像質量和光場對比度.採用掩模圖形結構預補償的方法,消除超分辨透鏡的倍率畸變像差影響.基于有限元電磁計算方法,教值模擬結果驗證瞭該方法在i線光源波長下實現納米呎度縮小戍像光刻的可能性.在i線(365nm)光源波長下,得到約35 nm線寬的高對比成像光場模擬結果,併分析瞭結構參數變化對成像光場帶來的影響.
본문제출화연구료이용초분변축소성상평판초투경,재i선광원파장하실현납미척도광각방법.위료재초 분변투경상면위치획득고질량적광각도형,채용초분변투경-광각효-반사은막적결구방식,해결유우초투경자장편진전수모식대래적성상광장기변문제,대대제고료성상질량화광장대비도.채용엄모도형결구예보상적방법,소제초분변투경적배솔기변상차영향.기우유한원전자계산방법,교치모의결과험증료해방법재i선광원파장하실현납미척도축소수상광각적가능성.재i선(365nm)광원파장하,득도약35 nm선관적고대비성상광장모의결과,병분석료결구삼수변화대성상광장대래적영향.
