材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2011年
10期
11-14
,共4页
李晶晶%徐凌伟%陈建中%张能辉
李晶晶%徐凌偉%陳建中%張能輝
리정정%서릉위%진건중%장능휘
DNA生物膜%电势%变形%弯电效应%非线性Poisson-Boltzmann方程
DNA生物膜%電勢%變形%彎電效應%非線性Poisson-Boltzmann方程
DNA생물막%전세%변형%만전효응%비선성Poisson-Boltzmann방정
基于非线性Poisson-Boltzmann (NLPB)方程和液晶薄膜弯电理论,利用Fogolari修正公式,建立了单链DNA (ssDNA)分子结构特征、溶液离子浓度等因素与生物膜电势、芯片宏观变形之间的非线性多尺度关系.结合现有的实验数据,拟合了单链DNA生物薄膜的弯电系数,并将生物膜电势分布及芯片变形的线性预测和非线性预测进行了比较,阐明了非线性多尺度关系的有效性.考察了DNA链片断数和封装密度等因素对芯片变形的影响.结果表明:随着DNA链片断数和封装密度的增加,芯片变形逐渐增加.
基于非線性Poisson-Boltzmann (NLPB)方程和液晶薄膜彎電理論,利用Fogolari脩正公式,建立瞭單鏈DNA (ssDNA)分子結構特徵、溶液離子濃度等因素與生物膜電勢、芯片宏觀變形之間的非線性多呎度關繫.結閤現有的實驗數據,擬閤瞭單鏈DNA生物薄膜的彎電繫數,併將生物膜電勢分佈及芯片變形的線性預測和非線性預測進行瞭比較,闡明瞭非線性多呎度關繫的有效性.攷察瞭DNA鏈片斷數和封裝密度等因素對芯片變形的影響.結果錶明:隨著DNA鏈片斷數和封裝密度的增加,芯片變形逐漸增加.
기우비선성Poisson-Boltzmann (NLPB)방정화액정박막만전이론,이용Fogolari수정공식,건립료단련DNA (ssDNA)분자결구특정、용액리자농도등인소여생물막전세、심편굉관변형지간적비선성다척도관계.결합현유적실험수거,의합료단련DNA생물박막적만전계수,병장생물막전세분포급심편변형적선성예측화비선성예측진행료비교,천명료비선성다척도관계적유효성.고찰료DNA련편단수화봉장밀도등인소대심편변형적영향.결과표명:수착DNA련편단수화봉장밀도적증가,심편변형축점증가.
